0 0 0
  8. IPD60R280P7S

Транзистори з каналом N SMD IPD60R280P7S

 
IPD60R280P7S
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169067
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.05 грн
5+
71.69 грн
16+
62.13 грн
44+
58.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
53Вт(1740746)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,35 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD60R280P7S
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169067
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
82.05 грн
5+
71.69 грн
16+
62.13 грн
44+
58.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
53Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
18нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,35 g