0 0 0
  8. IPD60R600P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD60R600P7ATMA1

 
IPD60R600P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169006
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.50 грн
5+
69.78 грн
17+
58.67 грн
47+
55.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
9нКл(1609896)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD60R600P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169006
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.50 грн
5+
69.78 грн
17+
58.67 грн
47+
55.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
9нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g