0 0 0
  8. IPD65R1K4CFDBTMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD65R1K4CFDBTMA1

 
IPD65R1K4CFDBTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076333
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.26 грн
3+
52.57 грн
10+
41.87 грн
28+
36.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
2,8А(1602409)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
28,4Вт(1741849)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,45 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD65R1K4CFDBTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076333
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.26 грн
3+
52.57 грн
10+
41.87 грн
28+
36.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
2,8А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
28,4Вт
Поляризація
польовий
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,45 g