0 0 0
  8. IPD65R950CFDBTMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD65R950CFDBTMA1

 
IPD65R950CFDBTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076351
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.78 грн
3+
60.50 грн
10+
48.37 грн
24+
42.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
3,9А(1441264)
Опір в стані провідності
0,95Ом(1492414)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36,7Вт(1741945)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,45 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD65R950CFDBTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076351
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.78 грн
3+
60.50 грн
10+
48.37 грн
24+
42.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
3,9А
Опір в стані провідності
0,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36,7Вт
Поляризація
польовий
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,45 g