0 0 0
  8. IPD80R1K2P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD80R1K2P7ATMA1

 
IPD80R1K2P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076360
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.78 грн
5+
54.87 грн
20+
50.59 грн
25+
49.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,1А(1441251)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
37Вт(1740770)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,38 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD80R1K2P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076360
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.78 грн
5+
54.87 грн
20+
50.59 грн
25+
49.95 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,1А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
37Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
11нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,38 g