0 0 0
  8. IPD80R1K4P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD80R1K4P7ATMA1

 
IPD80R1K4P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076362
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
99.91 грн
5+
85.63 грн
17+
59.47 грн
46+
56.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
2,7А(1492297)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
32Вт(1614700)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,417 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD80R1K4P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076362
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
99.91 грн
5+
85.63 грн
17+
59.47 грн
46+
56.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
2,7А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
32Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,417 g