0 0 0
  8. IPD80R2K4P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD80R2K4P7ATMA1

 
IPD80R2K4P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076365
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.78 грн
5+
36.50 грн
25+
32.35 грн
35+
28.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
1,7А(1441494)
Опір в стані провідності
2,4Ом(1441594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
22Вт(1520838)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
7,5нКл(1609772)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD80R2K4P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076365
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.78 грн
5+
36.50 грн
25+
32.35 грн
35+
28.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
1,7А
Опір в стані провідності
2,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
22Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
7,5нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g