0 0 0
  8. IPD80R900P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD80R900P7ATMA1

 
IPD80R900P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076372
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.60 грн
5+
59.63 грн
22+
45.59 грн
60+
43.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,9А(1441264)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
45Вт(1607948)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD80R900P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076372
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.60 грн
5+
59.63 грн
22+
45.59 грн
60+
43.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,9А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
45Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
15нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g