0 0 0
  8. IPD90N04S405ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD90N04S405ATMA1

 
IPD90N04S405ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076377
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 40В; 61А; Idm: 344А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.08 грн
5+
71.36 грн
18+
54.71 грн
50+
51.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3-313(1622487)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
61А(1479406)
Опір в стані провідності
5,2мОм(1599111)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
65Вт(1507555)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
OptiMOS™ T2(1714105)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
344А(1751903)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,375 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD90N04S405ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076377
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 40В; 61А; Idm: 344А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.08 грн
5+
71.36 грн
18+
54.71 грн
50+
51.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3-313
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
61А
Опір в стані провідності
5,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
65Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Заряд затвора
18нКл
Технологія
OptiMOS™ T2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
344А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,375 g