0 0 0
  8. IPD95R2K0P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD95R2K0P7ATMA1

 
IPD95R2K0P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076381
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.50 грн
5+
54.25 грн
24+
41.42 грн
66+
39.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
950В(1628409)
Струм стока
2,4А(1441489)
Опір в стані провідності
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
37Вт(1740770)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD95R2K0P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076381
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.50 грн
5+
54.25 грн
24+
41.42 грн
66+
39.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
950В
Струм стока
2,4А
Опір в стані провідності
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
37Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
10нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g