0 0 0
  8. IPD95R450P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD95R450P7ATMA1

 
IPD95R450P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076382
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
182.37 грн
5+
162.54 грн
8+
127.66 грн
22+
120.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1663 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
950В(1628409)
Струм стока
8,6А(1441570)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,396 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD95R450P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076382
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
182.37 грн
5+
162.54 грн
8+
127.66 грн
22+
120.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1663 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
950В
Струм стока
8,6А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
35нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,396 g