0 0 0
  8. IPD95R750P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD95R750P7ATMA1

 
IPD95R750P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076383
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.63 грн
5+
97.53 грн
14+
74.53 грн
37+
70.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
950В(1628409)
Струм стока
5,5А(1492307)
Опір в стані провідності
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
73Вт(1598008)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD95R750P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076383
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.63 грн
5+
97.53 грн
14+
74.53 грн
37+
70.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
950В
Струм стока
5,5А
Опір в стані провідності
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
73Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
23нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g