0 0 0
  8. IPDD60R080G7XTMA1

Транзистори з каналом N SMD IPDD60R080G7XTMA1

 
IPDD60R080G7XTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076385
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 29А; Idm: 83А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
448.78 грн
4+
310.02 грн
5+
309.23 грн
9+
292.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HDSOP-10-1(1740742)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
29А(1479295)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
174Вт(1520846)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Технологія
CoolMOS™ G7(1742458)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
83А(1742460)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPDD60R080G7XTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076385
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 29А; Idm: 83А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
448.78 грн
4+
310.02 грн
5+
309.23 грн
9+
292.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
29А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
174Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
42нКл
Технологія
CoolMOS™ G7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
83А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g