0 0 0
  8. IPDD60R102G7XTMA1

Транзистори з каналом N SMD IPDD60R102G7XTMA1

 
IPDD60R102G7XTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076386
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 23А; Idm: 66А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
338.57 грн
5+
233.91 грн
12+
221.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HDSOP-10-1(1740742)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
0,102Ом(1790182)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
139Вт(1741802)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Технологія
CoolMOS™ G7(1742458)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
66А(1742462)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPDD60R102G7XTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076386
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 23А; Idm: 66А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
338.57 грн
5+
233.91 грн
12+
221.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
0,102Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
139Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
34нКл
Технологія
CoolMOS™ G7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
66А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g