0 0 0
  8. IPDD60R125G7XTMA1

Транзистори з каналом N SMD IPDD60R125G7XTMA1

 
IPDD60R125G7XTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076387
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 20А; Idm: 54А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
347.29 грн
5+
244.21 грн
12+
230.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 48 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HDSOP-10-1(1740742)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
120Вт(1666572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
CoolMOS™ G7(1742458)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
54А(1742463)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,891 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPDD60R125G7XTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076387
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 20А; Idm: 54А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
347.29 грн
5+
244.21 грн
12+
230.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 48 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
120Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
27нКл
Технологія
CoolMOS™ G7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
54А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,891 g