0 0 0
  8. IPDD60R150G7XTMA1

Транзистори з каналом N SMD IPDD60R150G7XTMA1

 
IPDD60R150G7XTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076388
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 16А; Idm: 45А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
271.17 грн
7+
152.24 грн
18+
143.51 грн
1700+
137.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HDSOP-10-1(1740742)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
95Вт(1598004)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Технологія
CoolMOS™ G7(1742458)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
45А(1742464)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPDD60R150G7XTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076388
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 16А; Idm: 45А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
271.17 грн
7+
152.24 грн
18+
143.51 грн
1700+
137.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HDSOP-10-1
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
95Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23нКл
Технологія
CoolMOS™ G7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
45А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g