0 0 0
  8. IPI045N10N3GXKSA1

Транзистори з каналом N THT IPI045N10N3GXKSA1

 
IPI045N10N3GXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078306
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO262-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
212.98 грн
3+
181.99 грн
8+
128.74 грн
22+
121.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
4,5мОм(1479259)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
214Вт(1741760)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,548 g
 
Транзистори з каналом N THT IPI045N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078306
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO262-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
212.98 грн
3+
181.99 грн
8+
128.74 грн
22+
121.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
4,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
214Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,548 g