0 0 0
  8. IPI086N10N3GXKSA1

Транзистори з каналом N THT IPI086N10N3GXKSA1

 
IPI086N10N3GXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078310
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.68 грн
3+
79.97 грн
10+
74.43 грн
14+
73.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,53 g
 
Транзистори з каналом N THT IPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078310
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
88.68 грн
3+
79.97 грн
10+
74.43 грн
14+
73.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
8,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,53 g