0 0 0
  8. IPI111N15N3GAKSA1

Транзистори з каналом N THT IPI111N15N3GAKSA1

 
IPI111N15N3GAKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078312
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
270.69 грн
3+
234.17 грн
7+
163.52 грн
17+
154.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
83А(1479452)
Опір в стані провідності
11,1мОм(1599925)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
214Вт(1741760)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,42 g
 
Транзистори з каналом N THT IPI111N15N3GAKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078312
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
270.69 грн
3+
234.17 грн
7+
163.52 грн
17+
154.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
83А
Опір в стані провідності
11,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
214Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,42 g