0 0 0
  8. IPI120N04S402AKSA1

Транзистори з каналом N THT IPI120N04S402AKSA1

 
IPI120N04S402AKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078313
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 40В; 120А; 158Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.32 грн
3+
100.37 грн
10+
89.22 грн
13+
76.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
1,8мОм(1479613)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
158Вт(1741979)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
103нКл(1512596)
Технологія
OptiMOS™ T2(1714105)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N THT IPI120N04S402AKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078313
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 40В; 120А; 158Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.32 грн
3+
100.37 грн
10+
89.22 грн
13+
76.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
1,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
158Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
103нКл
Технологія
OptiMOS™ T2
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g