0 0 0
  8. IPI200N25N3GAKSA1

Транзистори з каналом N THT IPI200N25N3GAKSA1

 
IPI200N25N3GAKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078316
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 88А; 300Вт; PG-TO262-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
496.35 грн
3+
427.37 грн
4+
298.13 грн
10+
281.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напруга сток-джерело
250В(1441306)
Струм стока
88А(1599601)
Опір в стані провідності
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,42 g
 
Транзистори з каналом N THT IPI200N25N3GAKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078316
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 88А; 300Вт; PG-TO262-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
496.35 грн
3+
427.37 грн
4+
298.13 грн
10+
281.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напруга сток-джерело
250В
Струм стока
88А
Опір в стані провідності
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,42 g