0 0 0
  8. IPI80N06S407AKSA2

Транзистори з каналом N THT IPI80N06S407AKSA2

 
IPI80N06S407AKSA2
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 710893
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; польовий; 60В; 58А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
158.98 грн
3+
143.80 грн
9+
120.63 грн
23+
114.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 418 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
58А(1441359)
Опір в стані провідності
7,4мОм(1758581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
79Вт(1740747)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
OptiMOS® -T2(1810691)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
320А(1741662)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,56 g
 
Транзистори з каналом N THT IPI80N06S407AKSA2
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 710893
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; польовий; 60В; 58А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
158.98 грн
3+
143.80 грн
9+
120.63 грн
23+
114.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 418 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
58А
Опір в стані провідності
7,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
79Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
27нКл
Технологія
OptiMOS® -T2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
320А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,56 g