0 0 0
  8. IPL60R105P7AUMA1

Транзистори з каналом N SMD IPL60R105P7AUMA1

 
IPL60R105P7AUMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076394
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 137Вт; PG-VSON-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
321.92 грн
5+
223.60 грн
13+
211.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-VSON-4(1602414)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
0,105Ом(1710956)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
137Вт(1740759)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPL60R105P7AUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076394
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 137Вт; PG-VSON-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
321.92 грн
5+
223.60 грн
13+
211.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-VSON-4
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
0,105Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
137Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
45нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g