0 0 0
  8. IPL60R125P7AUMA1

Транзистори з каналом N SMD IPL60R125P7AUMA1

 
IPL60R125P7AUMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076395
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
253.73 грн
5+
229.15 грн
6+
175.23 грн
16+
165.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-VSON-4(1602414)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
17А(1441577)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
111Вт(1741977)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
36нКл(1479151)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPL60R125P7AUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076395
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
253.73 грн
5+
229.15 грн
6+
175.23 грн
16+
165.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-VSON-4
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
17А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
111Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
36нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g