0 0 0
  8. IPL60R285P7AUMA1

Транзистори з каналом N SMD IPL60R285P7AUMA1

 
IPL60R285P7AUMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076401
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 59Вт; PG-VSON-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
143.51 грн
5+
130.04 грн
10+
99.91 грн
28+
94.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-VSON-4(1602414)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,285Ом(1638681)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
59Вт(1520841)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPL60R285P7AUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076401
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 59Вт; PG-VSON-4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
143.51 грн
5+
130.04 грн
10+
99.91 грн
28+
94.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-VSON-4
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,285Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
59Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
18нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g