0 0 0
  8. IPN50R800CEATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPN50R800CEATMA1

 
IPN50R800CEATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076426
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
53.92 грн
5+
43.45 грн
25+
39.17 грн
26+
37.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2908 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
4,8А(1492240)
Опір в стані провідності
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
12,4нКл(1714112)
Технологія
CoolMOS™ CE(1604773)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,147 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPN50R800CEATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076426
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
53.92 грн
5+
43.45 грн
25+
39.17 грн
26+
37.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2908 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
4,8А
Опір в стані провідності
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
12,4нКл
Технологія
CoolMOS™ CE
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,147 g