0 0 0
  8. IPN60R2K1CEATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPN60R2K1CEATMA1

 
IPN60R2K1CEATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076428
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
29.89 грн
25+
26.17 грн
50+
19.85 грн
137+
18.76 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
2,4А(1441489)
Опір в стані провідності
2,1Ом(1459402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
6,7нКл(1479189)
Технологія
CoolMOS™ CE(1604773)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPN60R2K1CEATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076428
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
29.89 грн
25+
26.17 грн
50+
19.85 грн
137+
18.76 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
2,4А
Опір в стані провідності
2,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
6,7нКл
Технологія
CoolMOS™ CE
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g