0 0 0
  8. IPN60R600P7SATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPN60R600P7SATMA1

 
IPN60R600P7SATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.50 грн
5+
32.19 грн
25+
28.23 грн
41+
24.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
7Вт(1607953)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
9нКл(1609896)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPN60R600P7SATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.50 грн
5+
32.19 грн
25+
28.23 грн
41+
24.50 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
7Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
9нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g