0 0 0
  8. IPN70R1K0CEATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPN70R1K0CEATMA1

 
IPN70R1K0CEATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169028
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
120.52 грн
5+
56.30 грн
23+
43.21 грн
63+
40.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напруга сток-джерело
700В(1441588)
Струм стока
4,7А(1479142)
Опір в стані провідності
1Ом(1441391)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
15,2нКл(1714165)
Технологія
CoolMOS™ CE(1604773)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPN70R1K0CEATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169028
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
120.52 грн
5+
56.30 грн
23+
43.21 грн
63+
40.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напруга сток-джерело
700В
Струм стока
4,7А
Опір в стані провідності
1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
15,2нКл
Технологія
CoolMOS™ CE
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g