0 0 0
  8. IPN80R3K3P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPN80R3K3P7ATMA1

 
IPN80R3K3P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076439
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
99.32 грн
5+
49.74 грн
20+
44.49 грн
27+
38.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
1,3А(1492332)
Опір в стані провідності
3,3Ом(1604780)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
6,1Вт(1741972)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
6нКл(1479087)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPN80R3K3P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076439
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
99.32 грн
5+
49.74 грн
20+
44.49 грн
27+
38.38 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
1,3А
Опір в стані провідності
3,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
6,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
6нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g