0 0 0
  8. IPN80R600P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPN80R600P7ATMA1

 
IPN80R600P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169027
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.14 грн
5+
122.90 грн
11+
95.94 грн
29+
90.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
5,5А(1492307)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
7,4Вт(1520963)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPN80R600P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169027
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.14 грн
5+
122.90 грн
11+
95.94 грн
29+
90.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
5,5А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
7,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
20нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,115 g