0 0 0
  8. IPP023N04NGXKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP023N04NGXKSA1

 
IPP023N04NGXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1174913
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 90А; 167Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
147.00 грн
3+
129.42 грн
9+
112.64 грн
25+
106.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
90А(1479466)
Опір в стані провідності
2,3мОм(1479289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
167Вт(1740791)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,063 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP023N04NGXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1174913
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 90А; 167Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
147.00 грн
3+
129.42 грн
9+
112.64 грн
25+
106.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
90А
Опір в стані провідності
2,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
167Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,063 g