0 0 0
  8. IPP052NE7N3GXKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP052NE7N3GXKSA1

 
IPP052NE7N3GXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078384
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
203.21 грн
8+
133.36 грн
21+
126.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 98 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
5,2мОм(1599111)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,08 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP052NE7N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078384
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
203.21 грн
8+
133.36 грн
21+
126.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 98 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
5,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,08 g