0 0 0
  8. IPP086N10N3GXKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP086N10N3GXKSA1

 
IPP086N10N3GXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078395
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.79 грн
3+
128.25 грн
10+
113.11 грн
11+
97.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,074 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078395
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.79 грн
3+
128.25 грн
10+
113.11 грн
11+
97.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
8,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
OptiMOS™ 5
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,074 g