0 0 0
  8. IPP50R190CEXKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP50R190CEXKSA1

 
IPP50R190CEXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078415
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,5А; 127Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
154.19 грн
3+
139.01 грн
10+
107.05 грн
26+
100.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 94 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
18,5А(1601642)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
127Вт(1741937)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,025 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP50R190CEXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078415
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,5А; 127Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
154.19 грн
3+
139.01 грн
10+
107.05 грн
26+
100.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 94 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
18,5А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
127Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,025 g