0 0 0
  8. IPP60R180P7XKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP60R180P7XKSA1

 
IPP60R180P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401954
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 72Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
147.80 грн
3+
133.42 грн
10+
106.25 грн
25+
105.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
72Вт(1507557)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
53А(1810500)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP60R180P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401954
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 72Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
147.80 грн
3+
133.42 грн
10+
106.25 грн
25+
105.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
72Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
53А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g