0 0 0
  8. IPP60R600P7XKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP60R600P7XKSA1

 
IPP60R600P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078466
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 30Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.07 грн
3+
68.33 грн
10+
60.38 грн
19+
53.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
9нКл(1609896)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP60R600P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078466
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 30Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
77.07 грн
3+
68.33 грн
10+
60.38 грн
19+
53.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
9нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g