0 0 0
  8. IPP65R110CFDXKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP65R110CFDXKSA1

 
IPP65R110CFDXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078474
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
453.67 грн
3+
390.91 грн
4+
273.32 грн
10+
258.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
31,2А(1602396)
Опір в стані провідності
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
277,8Вт(1741940)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
CoolMOS™(1601653)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP65R110CFDXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078474
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
453.67 грн
3+
390.91 грн
4+
273.32 грн
10+
258.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
31,2А
Опір в стані провідності
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
277,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
CoolMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g