0 0 0
  8. IPP80R1K2P7XKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP80R1K2P7XKSA1

 
IPP80R1K2P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078498
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.85 грн
3+
96.93 грн
10+
88.19 грн
12+
84.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 383 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,1А(1441251)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
37Вт(1740770)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,077 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP80R1K2P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078498
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.85 грн
3+
96.93 грн
10+
88.19 грн
12+
84.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 383 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,1А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
37Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
11нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,077 g