0 0 0
  8. IPP80R360P7XKSA1

Транзистори з каналом N THT IPP80R360P7XKSA1

 
IPP80R360P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078500
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
218.49 грн
3+
193.07 грн
6+
179.56 грн
10+
174.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 20 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8,6А(1441570)
Опір в стані провідності
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
84Вт(1741978)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,07 g
 
Транзистори з каналом N THT IPP80R360P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078500
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
218.49 грн
3+
193.07 грн
6+
179.56 грн
10+
174.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 20 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8,6А
Опір в стані провідності
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
84Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
30нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,07 g