0 0 0
  8. IPS70R1K4P7SAKMA1

Транзистори з каналом N THT IPS70R1K4P7SAKMA1

 
IPS70R1K4P7SAKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078516
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; IPAK SL
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.66 грн
5+
31.46 грн
25+
28.21 грн
41+
24.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK SL(1714164)
Напруга сток-джерело
700В(1441588)
Струм стока
2,5А(1441399)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
22,7Вт(1741961)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,7нКл(1479217)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,328 g
 
Транзистори з каналом N THT IPS70R1K4P7SAKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078516
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; IPAK SL
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
78.66 грн
5+
31.46 грн
25+
28.21 грн
41+
24.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK SL
Напруга сток-джерело
700В
Струм стока
2,5А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
22,7Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
4,7нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,328 g