0 0 0
  8. IPS80R600P7AKMA1

Транзистори з каналом N THT IPS80R600P7AKMA1

 
IPS80R600P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078520
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,5А; 60Вт; IPAK SL
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.81 грн
5+
77.86 грн
18+
58.79 грн
47+
55.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK SL(1714164)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
5,5А(1492307)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT IPS80R600P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078520
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,5А; 60Вт; IPAK SL
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.81 грн
5+
77.86 грн
18+
58.79 грн
47+
55.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK SL
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
5,5А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
20нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g