0 0 0
  8. IPT012N08N5ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPT012N08N5ATMA1

 
IPT012N08N5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076449
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
776.25 грн
2+
536.30 грн
6+
506.91 грн
500+
498.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HSOF-8(1599745)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
279А(1776128)
Опір в стані провідності
1,2мОм(1479497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
ролик(1437179)
Заряд затвора
178нКл(1714011)
Технологія
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2кА(1714539)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPT012N08N5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076449
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
776.25 грн
2+
536.30 грн
6+
506.91 грн
500+
498.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HSOF-8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
279А
Опір в стані провідності
1,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
178нКл
Технологія
OptiMOS™ 5
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2кА
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g