0 0 0
  8. IPT020N10N3ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPT020N10N3ATMA1

 
IPT020N10N3ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076451
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
805.65 грн
2+
555.37 грн
5+
525.18 грн
500+
518.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HSOF-8(1599745)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
212А(1614285)
Опір в стані провідності
2мОм(1479588)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
ролик(1437179)
Заряд затвора
156нКл(1479373)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1,2кА(1714539)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPT020N10N3ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076451
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
805.65 грн
2+
555.37 грн
5+
525.18 грн
500+
518.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HSOF-8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
212А
Опір в стані провідності
2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
156нКл
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1,2кА
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g