0 0 0
  8. IPT029N08N5ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPT029N08N5ATMA1

 
IPT029N08N5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168997
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
264.04 грн
5+
237.87 грн
6+
182.37 грн
15+
172.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HSOF-8(1599745)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
2,9мОм(1599143)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
167Вт(1740791)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
ролик(1437179)
Заряд затвора
70нКл(1479303)
Технологія
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
676А(1776130)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPT029N08N5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168997
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
264.04 грн
5+
237.87 грн
6+
182.37 грн
15+
172.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HSOF-8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
2,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
167Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
70нКл
Технологія
OptiMOS™ 5
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
676А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g