0 0 0
  8. IPU80R1K2P7AKMA1

Транзистори з каналом N THT IPU80R1K2P7AKMA1

 
IPU80R1K2P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078527
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.62 грн
5+
49.90 грн
25+
44.34 грн
26+
38.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 443 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,1А(1441251)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
37Вт(1740770)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,411 g
 
Транзистори з каналом N THT IPU80R1K2P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078527
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.62 грн
5+
49.90 грн
25+
44.34 грн
26+
38.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 443 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,1А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
37Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
11нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,411 g