0 0 0
  8. IPU80R1K4P7AKMA1

Транзистори з каналом N THT IPU80R1K4P7AKMA1

 
IPU80R1K4P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078529
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.10 грн
10+
61.18 грн
29+
35.12 грн
78+
33.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1203 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
2,7А(1492297)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
32Вт(1614700)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
10нКл(1479106)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,41 g
 
Транзистори з каналом N THT IPU80R1K4P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078529
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.10 грн
10+
61.18 грн
29+
35.12 грн
78+
33.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1203 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
2,7А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
32Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
10нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,41 g