0 0 0
  8. IPU80R600P7AKMA1

Транзистори з каналом N THT IPU80R600P7AKMA1

 
IPU80R600P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078533
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,5А; 60Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
166.85 грн
5+
149.37 грн
19+
141.43 грн
25+
139.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 8 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
5,5А(1492307)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,414 g
 
Транзистори з каналом N THT IPU80R600P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078533
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,5А; 60Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
166.85 грн
5+
149.37 грн
19+
141.43 грн
25+
139.84 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 8 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
5,5А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
20нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,414 g