0 0 0
  8. IPU80R750P7AKMA1

Транзистори з каналом N THT IPU80R750P7AKMA1

 
IPU80R750P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078534
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,6А; 51Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
72.30 грн
5+
65.15 грн
20+
50.85 грн
54+
47.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
4,6А(1479139)
Опір в стані провідності
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
51Вт(1741968)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
17нКл(1479101)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,412 g
 
Транзистори з каналом N THT IPU80R750P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078534
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,6А; 51Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
72.30 грн
5+
65.15 грн
20+
50.85 грн
54+
47.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
4,6А
Опір в стані провідності
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
51Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
17нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,412 g