0 0 0
  8. IPU80R900P7AKMA1

Транзистори з каналом N THT IPU80R900P7AKMA1

 
IPU80R900P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078535
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.59 грн
22+
45.29 грн
60+
42.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 339 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,9А(1441264)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
45Вт(1607948)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,415 g
 
Транзистори з каналом N THT IPU80R900P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078535
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.59 грн
22+
45.29 грн
60+
42.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 339 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,9А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
45Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
15нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,415 g